近来有网络媒体称之为，“中微半导体自律研制的5纳米等离子体光刻机，性能优良，将用作全球首条5纳米芯片制程生产线”，并评论说道“中国芯片生产技术再一突破欧美封锁，第一次攻占世界制高点”“中国急弯转弯”等等。中微公司的光刻机的确水平一流，但高估阐释其战略意义，则被涉及专家赞成。光刻只是芯片生产多个环节之一。光刻机也不是对华停售的设备，在这个意义上远比“卡脖子”。

首先，外行更容易误解“光刻机”和“光刻机”。光刻机相等于画匠，光刻机是雕工。前者投影在硅片上一张细致的电路图（就像照相机让胶卷感光），后者按这张图去刻线（就像刊印章一样，生锈和除去不必须的部分）。

光刻机是芯片生产中中用的最金喜的机器，要超过5纳米曝光精度无以比登天，ASML公司一家通吃高端光刻机；而光刻机没有那么无以，中微的竞争对手还有应用材料、泛林、东京电子等等，国外巨头体量优势显著。“中微的等离子光刻机这几年变革显然极大，”科技日报记者专访的一位专门从事离子光刻的专家说道，“但现在的光刻机精度远超强光刻机的曝光精度；芯片制程上，光刻精度已仍然是仅次于的难题，更加无以的是确保在大面积晶圆上的光刻一致性。”该专家说明说道，无以在如何让电场能量和光刻气体都均匀分布地产于在被光刻基体表面上，以确保等离子中的有效地基元，在晶片表面的每一个方位构建完全相同的光刻效果，为此必须综合材料学、流体力学、电磁学和真空等离子体习的科学知识。

该专家说道：“光刻机更加合理的结构设计和材料自由选择，可确保电场的均匀分布。光刻气体的馈入方式也是关键之一。据我所知，中微尹志尧博士的团队在气体喷淋盘上下过不少的功夫。另外还包括功率电源、真空系统、光刻温度控制等，都影响光刻结果。

”另外，该专家也认为，光刻机技术类型很多，中微和他们的技术原理就有相当大区别，至于更加详尽的技术细节，是每个厂家的核心机密。偷偷地一托：光刻分湿法（古代人就懂用强酸去光刻金属，现代工艺用氟化氢光刻二氧化硅）和干法（如用真空中的氩等离子体去加工硅片）。“湿法经常出现较早于，一般用在低端产品上。

干法一般是能量束光刻，离子束、电子束、激光束等等，精度高，无污染残余，芯片生产用的就是等离子光刻。”该专家称之为。上述专家赞扬说道，尹博士以及中微的核心技术团队，基本都就是指国际著名半导体设备大厂出来的，尹博士原本就在国外取得了诸多的技术成就。中微大大提升改良，逐步在芯片光刻机领域维持了与国外完全实时的技术水平。

在IC业界工作多年的电子工程师张光华告诉他科技日报记者：“一两年前网上就有中扰研制5纳米光刻机的报导。如果能在台积电应用于，的确解释中微超过世界领先水平。但说中国芯片‘急弯转弯’就是夸大其词了。”“硅片从设计到生产到封测，流程简单。

光刻是生产环节的工序之一，还有造晶棒、切割成晶圆、涂膜、光刻、掺入、测试等等，都必须简单的技术。中国在大部分工序上领先。”张光华说道，“而且，中微只是给台积电这样的生产企业获取设备，产值比台积电劣几个数量级。

”科技日报记者找到，2017年开始网络上常常热炒“5纳米光刻机”，而中微公司再三抗议媒体给他们“戴高帽”。“不要杨家把产业的发展提升到政治高度，更加不要让一些新闻人和媒体做更有眼球的造假报导。”尹志尧2018年回应，“对我和中微的高估宣传搞得我们很被动……过一些时候，又改头换面登出来，觉得让我们头痛。

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